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Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1(Q)

Name: TK55D10J1(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55D10J1(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (760 reviews)

MFG-Teilenummer: TK55D10J1(Q)

verfügbare Anzahl: 96050 Stücke

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK55D10J1(Q).pdf

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TK55D10J1(Q) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK55D10J1(Q)
Zukünftige Teilenummer	FT-TK55D10J1(Q)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
TK55D10J1(Q) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	55A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5700pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	140W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220(W)
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK55D10J1(Q) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK55D10J1(Q)-FT

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