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TK6Q65W,S1Q Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W,S1Q

MFG-Teilenummer
TK6Q65W,S1Q
verfügbare Anzahl
21880 Stücke
Referenzpreis
USD 0.82208
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK6Q65W,S1Q.pdf
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TK6Q65W,S1Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK6Q65W,S1Q
Zukünftige Teilenummer FT-TK6Q65W,S1Q
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DTMOSIV
TK6Q65W,S1Q Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 300V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I-PAK
Paket / fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK6Q65W,S1Q Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK6Q65W,S1Q-FT

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