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Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL,RQ
- MFG-Teilenummer
- TK6R7P06PL,RQ
- verfügbare Anzahl
- 72490 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.37408
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSIX-H MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TK6R7P06PL,RQ.pdf
TK6R7P06PL,RQ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TK6R7P06PL,RQ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TK6R7P06PL,RQ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSIX-H |
| TK6R7P06PL,RQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 46A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 23A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 66W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK6R7P06PL,RQ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TK6R7P06PL,RQ-FT |
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