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Toshiba Semiconductor and Storage TK9A60D(STA4,Q,M)

Name: TK9A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A60D(STA4,Q,M)
Price: 1.304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (309 reviews)

MFG-Teilenummer: TK9A60D(STA4,Q,M)

verfügbare Anzahl: 26510 Stücke

Referenzpreis: USD 1.304

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: π-MOSVII MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK9A60D(STA4,Q,M).pdf

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TK9A60D(STA4,Q,M) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK9A60D(STA4,Q,M)
Zukünftige Teilenummer	FT-TK9A60D(STA4,Q,M)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	π-MOSVII
TK9A60D(STA4,Q,M) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	830 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220SIS
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK9A60D(STA4,Q,M) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK9A60D(STA4,Q,M)-FT

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