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TK9J90E,S1E Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E,S1E

MFG-Teilenummer
TK9J90E,S1E
verfügbare Anzahl
61010 Stücke
Referenzpreis
USD 2.544
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK9J90E,S1E.pdf
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TK9J90E,S1E Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK9J90E,S1E
Zukünftige Teilenummer FT-TK9J90E,S1E
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
TK9J90E,S1E Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 900µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-3P(N)
Paket / fall TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK9J90E,S1E Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK9J90E,S1E-FT

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