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TN0106N3-G Image

Microchip Technology TN0106N3-G

MFG-Teilenummer
TN0106N3-G
verfügbare Anzahl
37080 Stücke
Referenzpreis
USD 0.608
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microchip Technology
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TN0106N3-G.pdf
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TN0106N3-G Spezifikationen

Herstellerteilenummer TN0106N3-G
Zukünftige Teilenummer FT-TN0106N3-G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
TN0106N3-G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 350mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-92-3
Paket / fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TN0106N3-G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TN0106N3-G-FT

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