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Herstellerteilenummer | TN0606N3-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TN0606N3-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TN0606N3-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 500mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 750mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0606N3-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TN0606N3-G-FT |
IRF5802TR
Infineon Technologies
IRF5803
Infineon Technologies
IRF5803TR
Infineon Technologies
IRF5804
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IRF5804TR
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IRF5804TRPBF
Infineon Technologies
IRF5805
Infineon Technologies
IRF5805TR
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IRF5805TRPBF
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IRF5806
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
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EP2AGX65CU17C4
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