Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / TP2502N8-G
Herstellerteilenummer | TP2502N8-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TP2502N8-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TP2502N8-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 630mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-243AA (SOT-89) |
Paket / fall | TO-243AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP2502N8-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TP2502N8-G-FT |
PSMN3R2-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-40YSDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R7-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R7-30YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN4R0-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R1-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel