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Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD,L1Q

MFG-Teilenummer
TPH1R712MD,L1Q
verfügbare Anzahl
67030 Stücke
Referenzpreis
USD 0.4368
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
U-MOSVI MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TPH1R712MD,L1Q.pdf
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TPH1R712MD,L1Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer TPH1R712MD,L1Q
Zukünftige Teilenummer FT-TPH1R712MD,L1Q
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie U-MOSVI
TPH1R712MD,L1Q Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 182nC @ 5V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10900pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall 8-PowerVDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH1R712MD,L1Q Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TPH1R712MD,L1Q-FT

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