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Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD,L1Q

Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MD,L1Q
Price: 0.4368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (106 reviews)

MFG-Teilenummer: TPH1R712MD,L1Q

verfügbare Anzahl: 67030 Stücke

Referenzpreis: USD 0.4368

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVI MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPH1R712MD,L1Q.pdf

TPH1R712MD,L1Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPH1R712MD,L1Q
Zukünftige Teilenummer	FT-TPH1R712MD,L1Q
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVI
TPH1R712MD,L1Q Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	182nC @ 5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10900pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH1R712MD,L1Q Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPH1R712MD,L1Q-FT

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