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Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q

Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MD,L1Q
Price: 0.2184 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (579 reviews)

MFG-Teilenummer: TPN4R712MD,L1Q

verfügbare Anzahl: 77100 Stücke

Referenzpreis: USD 0.2184

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVI MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TPN4R712MD,L1Q.pdf

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TPN4R712MD,L1Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TPN4R712MD,L1Q
Zukünftige Teilenummer	FT-TPN4R712MD,L1Q
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVI
TPN4R712MD,L1Q Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	42W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN4R712MD,L1Q Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TPN4R712MD,L1Q-FT

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