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Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH,L1Q
- MFG-Teilenummer
- TPN7R506NH,L1Q
- verfügbare Anzahl
- 54520 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.30016
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TPN7R506NH,L1Q.pdf
TPN7R506NH,L1Q Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TPN7R506NH,L1Q |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TPN7R506NH,L1Q |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| TPN7R506NH,L1Q Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / fall | 8-PowerVDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN7R506NH,L1Q Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TPN7R506NH,L1Q-FT |
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