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Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CI C0G

Name: TSM80N1R2CI C0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM80N1R2CI C0G
Price: 1.64 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (196 reviews)

MFG-Teilenummer: TSM80N1R2CI C0G

verfügbare Anzahl: 73860 Stücke

Referenzpreis: USD 1.64

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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TSM80N1R2CI C0G.pdf

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TSM80N1R2CI C0G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TSM80N1R2CI C0G
Zukünftige Teilenummer	FT-TSM80N1R2CI C0G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
TSM80N1R2CI C0G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	19.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	685pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	ITO-220AB
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM80N1R2CI C0G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TSM80N1R2CI C0G-FT

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