Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR212X00L
Herstellerteilenummer | UNR212X00L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR212X00L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR212X00L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 270 Ohms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 5 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR212X00L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR212X00L-FT |
FJV3112RMTF
ON Semiconductor
FJV3115RMTF
ON Semiconductor
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
FJV4103RMTF
ON Semiconductor
FJV4104RMTF
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FJV4105RMTF
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FJV4106RMTF
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FJV4107RMTF
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FJV4108RMTF
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XCS30-3TQ144I
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EX256-FTQG100
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XC4003E-2VQ100C
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XC7VX980T-1FFG1930C
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10AX066H2F34I2LG
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EP4CE75F29C6N
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