Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR31A0G0L
Herstellerteilenummer | UNR31A0G0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR31A0G0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR31A0G0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR31A0G0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR31A0G0L-FT |
UNR211F00L
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UNR211H00L
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UNR211L00L
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UNR211N00L
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UNR221000L
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UNR221100L
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Intel
EP2C35U484C8N
Intel
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Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel