Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR32A6G0L
Herstellerteilenummer | UNR32A6G0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR32A6G0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR32A6G0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32A6G0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR32A6G0L-FT |
UNR32AT00L
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DRA3114E0L
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DRA3114T0L
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XC5VLX50T-2FFG665C
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XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
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M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
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LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
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EP3C40F324C7
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