Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR511E00L
Herstellerteilenummer | UNR511E00L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR511E00L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR511E00L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SMini3-G1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR511E00L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR511E00L-FT |
DRC9152Z0L
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DRC9A14E0L
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DRC9A43E0L
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DRA5114E0L
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XC4005E-2TQ144I
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XCV300E-8FG256C
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EP3C5U256I7
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5SGSMD5K3F40C2
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EP3C16E144I7
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XC5VLX50-3FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160I
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LFE2-35E-5FN672I
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LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C5
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