Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR921BJ0L
Herstellerteilenummer | UNR921BJ0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR921BJ0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR921BJ0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SSMini3-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR921BJ0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR921BJ0L-FT |
DRA3123Y0L
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DRA3124E0L
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XC6SLX150-3FG676I
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Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
5SGXEA3K3F40C2LN
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EP4S100G2F40I2
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LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
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EP4CE40F29C6N
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EP1C6Q240C6
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