Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR92A8G0L
Herstellerteilenummer | UNR92A8G0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR92A8G0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR92A8G0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 510 Ohms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 5.1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SSMini3-F3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR92A8G0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR92A8G0L-FT |
UNR51A0G0L
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UNR51A1G0L
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UNR51A2G0L
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A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQI
Microchip Technology
XC4008E-1PC84C
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XA6SLX9-3CSG225Q
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN256I
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LCMXO2-4000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel