Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / UNR51A6G0L
Herstellerteilenummer | UNR51A6G0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UNR51A6G0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UNR51A6G0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-85 |
Supplier Device Package | SMini3-F2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR51A6G0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UNR51A6G0L-FT |
DRA5115T0L
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DRA5123E0L
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XC2V500-5FGG256I
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XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC2V6000-4FF1517I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP1C6Q240C6
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