Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / UP0421600L
Herstellerteilenummer | UP0421600L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UP0421600L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UP0421600L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SSMINI6-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP0421600L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UP0421600L-FT |
DMC961030R
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XC2V1000-5FGG456I
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XCKU025-1FFVA1156C
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XA3S1600E-4FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484M
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A3P030-2VQ100I
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AGLN250V5-VQG100
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5SGXMA5H3F35C2N
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A40MX04-2PQG100
Microsemi Corporation