Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / DMG963010R
Herstellerteilenummer | DMG963010R |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DMG963010R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMG963010R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-665 |
Supplier Device Package | SSMini5-F4-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG963010R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMG963010R-FT |
EMG2T2R
Rohm Semiconductor
EMG4T2R
Rohm Semiconductor
EMG6T2R
Rohm Semiconductor
EMG9T2R
Rohm Semiconductor
EMA11T2R
Rohm Semiconductor
EMA8T2R
Rohm Semiconductor
UMH9NTN
Rohm Semiconductor
UMD3NTR
Rohm Semiconductor
UMB9NTN
Rohm Semiconductor
UMH10NTN
Rohm Semiconductor
AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC7A200T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C9LN
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
EP4S100G5H40I3N
Intel
LFEC3E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100BC356-2
Intel
EP1K100QC208-2
Intel