Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / DMG963010R
Herstellerteilenummer | DMG963010R |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DMG963010R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMG963010R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-665 |
Supplier Device Package | SSMini5-F4-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG963010R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMG963010R-FT |
EMG2T2R
Rohm Semiconductor
EMG4T2R
Rohm Semiconductor
EMG6T2R
Rohm Semiconductor
EMG9T2R
Rohm Semiconductor
EMA11T2R
Rohm Semiconductor
EMA8T2R
Rohm Semiconductor
UMH9NTN
Rohm Semiconductor
UMD3NTR
Rohm Semiconductor
UMB9NTN
Rohm Semiconductor
UMH10NTN
Rohm Semiconductor
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP1K30QC208-1N
Intel