Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / US6M2GTR
Herstellerteilenummer | US6M2GTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-US6M2GTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
US6M2GTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V, 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.5A, 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
Leistung max | 1W |
Betriebstemperatur | 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Flat Leads |
Supplier Device Package | TUMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6M2GTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | US6M2GTR-FT |
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