Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / V10P10-M3/86A
Herstellerteilenummer | V10P10-M3/86A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-V10P10-M3/86A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | eSMP®, TMBS® |
V10P10-M3/86A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-277, 3-PowerDFN |
Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10P10-M3/86A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | V10P10-M3/86A-FT |
1N4151WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel