Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / V12P10-M3/86A
Herstellerteilenummer | V12P10-M3/86A |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-V12P10-M3/86A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | eSMP®, TMBS® |
V12P10-M3/86A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 12A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 12A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-277, 3-PowerDFN |
Supplier Device Package | TO-277A (SMPC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P10-M3/86A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | V12P10-M3/86A-FT |
1N4151WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel