Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VB30100SG-M3/4W
Herstellerteilenummer | VB30100SG-M3/4W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VB30100SG-M3/4W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VB30100SG-M3/4W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 350µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100SG-M3/4W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VB30100SG-M3/4W-FT |
VS-6TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H60HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1635HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel