Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-10ETS12STRR-M3
Herstellerteilenummer | VS-10ETS12STRR-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-10ETS12STRR-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-10ETS12STRR-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS12STRR-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-10ETS12STRR-M3-FT |
VBT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5200-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5200-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT760-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT760-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
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Intel
EP1S40F780I6
Intel
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Intel