Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VBT5200-E3/8W
Herstellerteilenummer | VBT5200-E3/8W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VBT5200-E3/8W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VBT5200-E3/8W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT5200-E3/8W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VBT5200-E3/8W-FT |
NSB8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8KTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8MTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8MTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel