Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-18TQ045S-M3
Herstellerteilenummer | VS-18TQ045S-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-18TQ045S-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-18TQ045S-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 18A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 18A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2.5mA @ 35V |
Kapazität @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-18TQ045S-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-18TQ045S-M3-FT |
VS-10ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel