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Herstellerteilenummer | W29N04GVSIAF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W29N04GVSIAF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W29N04GVSIAF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W29N04GVSIAF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W29N04GVSIAF-FT |
BQ4011MA-200
Texas Instruments
BQ4011YMA-100
Texas Instruments
BQ4011YMA-150
Texas Instruments
BQ4011YMA-150N
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BQ4011YMA-200
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BQ4011YMA-70
Texas Instruments
BQ4011YMA-70N
Texas Instruments
SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD
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SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-STD
Swissbit
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
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XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel