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Herstellerteilenummer | W632GU8KB12I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W632GU8KB12I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GU8KB12I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-TFBGA |
Supplier Device Package | 78-WBGA (10.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU8KB12I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GU8KB12I-FT |
AS4C512M8D3-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M8D3-12BIN
Alliance Memory, Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
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Intel