Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / ZDS020N60TB
Herstellerteilenummer | ZDS020N60TB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ZDS020N60TB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ZDS020N60TB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 630mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZDS020N60TB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ZDS020N60TB-FT |
SI4642DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4646DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4646DY-T1-GE3
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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