Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5407GP-TP
Herstellerteilenummer | 1N5407GP-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5407GP-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5407GP-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AD, Axial |
Supplier Device Package | DO-201AD |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5407GP-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5407GP-TP-FT |
VS-97PF120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-97PFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD253N16S20PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5806
Semtech Corporation
1N5807US
Semtech Corporation
1N5809US.TR
Semtech Corporation
1N5811
Semtech Corporation
APD260VDTR-E1
Diodes Incorporated
B0540WS-TP
Micro Commercial Co
B5817W-TP
Micro Commercial Co
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel