Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N6662US
Herstellerteilenummer | 1N6662US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6662US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
1N6662US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | - |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6662US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6662US-FT |
JAN1N5553
Microsemi Corporation
JAN1N5553US
Microsemi Corporation
JAN1N5554
Microsemi Corporation
JAN1N5615
Microsemi Corporation
JAN1N5616US
Microsemi Corporation
JAN1N5617US
Microsemi Corporation
JAN1N5618
Microsemi Corporation
JAN1N5619US
Microsemi Corporation
JAN1N5620US
Microsemi Corporation
JAN1N5621
Microsemi Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel