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GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA
- MFG-Teilenummer
- 2N7635-GA
- verfügbare Anzahl
- 28360 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- GeneSiC Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - TRANS SJT 650V 4A TO-257
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- 2N7635-GA.pdf
2N7635-GA Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | 2N7635-GA |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-2N7635-GA |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| 2N7635-GA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 47W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Paket / fall | TO-257-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2N7635-GA Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | 2N7635-GA-FT |
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