Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5227A-5-TB-E
Herstellerteilenummer | 2SC5227A-5-TB-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5227A-5-TB-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5227A-5-TB-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 12dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 135 @ 20mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | 3-CP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5227A-5-TB-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5227A-5-TB-E-FT |
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
A1010B-1VQ80I
Microsemi Corporation
EX64-FTQG64
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG484T
Microsemi Corporation
A3P600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PC84I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EQI240-2N
Intel