Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5227A-5-TB-E
Herstellerteilenummer | 2SC5227A-5-TB-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5227A-5-TB-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5227A-5-TB-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 12dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 135 @ 20mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | 3-CP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5227A-5-TB-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5227A-5-TB-E-FT |
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C7
Intel
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H1F35C1N
Intel
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel