Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5551AF-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC5551AF-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5551AF-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5551AF-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Frequenz - Übergang | 3.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 1.3W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 300mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AF-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5551AF-TD-E-FT |
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD5C5F27C7N
Intel
EP4CE40F23I7N
Intel
XC2VP7-7FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100M
Microsemi Corporation
A42MX24-1PQ160I
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F780C4N
Intel