Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5551AF-TD-E
Herstellerteilenummer | 2SC5551AF-TD-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2SC5551AF-TD-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SC5551AF-TD-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Frequenz - Übergang | 3.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 1.3W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 300mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5551AF-TD-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SC5551AF-TD-E-FT |
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel