Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / APTGLQ600A65T6G
Herstellerteilenummer | APTGLQ600A65T6G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APTGLQ600A65T6G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
APTGLQ600A65T6G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | Half Bridge |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1200A |
Leistung max | 2000W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 600A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 600µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 36.6nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SP6 |
Supplier Device Package | SP6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGLQ600A65T6G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APTGLQ600A65T6G-FT |
FF800R17KP4B2NOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP75R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17KS4F
Infineon Technologies
FS75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
VS-GB100LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel