Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / FP50R07N2E4B11BOSA1
Herstellerteilenummer | FP50R07N2E4B11BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FP50R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FP50R07N2E4B11BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70A |
Leistung max | - |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP50R07N2E4B11BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FP50R07N2E4B11BOSA1-FT |
FF600R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IS4F
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FF650R17IE4DB2BOSA1
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FF650R17IE4DPB2BOSA1
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FF650R17IE4PBOSA1
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FF650R17IE4VBOSA1
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FF900R12IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EPF10K250EBC600-3
Intel
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Intel
5SEE9H40C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
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A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
10AX057K2F40I2LG
Intel
EP2AGX260FF35I3
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