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Herstellerteilenummer | AS4C16M16SA-6BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C16M16SA-6BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C16M16SA-6BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM |
Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 12ns |
Zugriffszeit | 5ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 54-TFBGA |
Supplier Device Package | 54-TFBGA (8x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16SA-6BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C16M16SA-6BIN-FT |
AS7C38096A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BIN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel