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Herstellerteilenummer | AS4C16M32MS-7BCNTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C16M32MS-7BCNTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C16M32MS-7BCNTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
Speichergröße | 512Mb (16M x 32) |
Taktfrequenz | 133MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 90-VFBGA |
Supplier Device Package | 90-FBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MS-7BCNTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C16M32MS-7BCNTR-FT |
AS4C512M8D3A-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel