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Herstellerteilenummer | AS4C32M16D2A-25BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C32M16D2A-25BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C32M16D2A-25BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 84-TFBGA |
Supplier Device Package | 84-FBGA (8x12.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16D2A-25BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C32M16D2A-25BCN-FT |
AS4C512M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel