Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / AS4C4M16SA-6BIN
Herstellerteilenummer | AS4C4M16SA-6BIN |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C4M16SA-6BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C4M16SA-6BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM |
Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 2ns |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 54-TFBGA |
Supplier Device Package | 54-TFBGA (8x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C4M16SA-6BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C4M16SA-6BIN-FT |
AS6C1016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-70BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel