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Herstellerteilenummer | AS4C512M8D3LB-12BANTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C512M8D3LB-12BANTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C512M8D3LB-12BANTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (10.5x9) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3LB-12BANTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C512M8D3LB-12BANTR-FT |
AS4C4M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel