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Herstellerteilenummer | AS6C3216-55TIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C3216-55TIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C3216-55TIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 32Mb (2M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C3216-55TIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C3216-55TIN-FT |
AS7C351232-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel