Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / AUIRFS4127
Herstellerteilenummer | AUIRFS4127 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AUIRFS4127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRFS4127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 72A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5380pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFS4127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AUIRFS4127-FT |
IPB019N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB020N10N5ATMA1
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IPB100N04S4H2ATMA1
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IPB120N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB80N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
TK65G10N1,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
IRF4104SPBF
Infineon Technologies
IRF2204SPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRLPBF
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel