Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / AUIRFS4127
Herstellerteilenummer | AUIRFS4127 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-AUIRFS4127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRFS4127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 72A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5380pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFS4127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AUIRFS4127-FT |
IPB019N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB80N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
TK65G10N1,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
IRF4104SPBF
Infineon Technologies
IRF2204SPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRLPBF
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel