Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BA157GHR1G
Herstellerteilenummer | BA157GHR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BA157GHR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BA157GHR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA157GHR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BA157GHR1G-FT |
BA157G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA157GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel