Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR108E6433HTMA1
Herstellerteilenummer | BCR108E6433HTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR108E6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR108E6433HTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 170MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR108E6433HTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR108E6433HTMA1-FT |
DRC2144E0L
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UNR211M00L
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DRA2123Y0L
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XC6SLX45T-3CSG484I
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XC6SLX100T-3FG900C
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XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
APA750-PQ208I
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A3P250L-1VQG100I
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EP2C5AF256I8N
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AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5FN672I
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EP1S60F1020I6N
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