Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR112E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BCR112E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR112E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR112E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR112E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR112E6327HTSA1-FT |
FJV3101RMTF
ON Semiconductor
UNR211M00L
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UNR212200L
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BCR158E6327HTSA1
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BCR562E6327HTSA1
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XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
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M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
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EP4SE820H40C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
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10AX016E4F29I3SG
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