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Infineon Technologies BSC019N02KSGAUMA1

Name: BSC019N02KSGAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC019N02KSGAUMA1
Price: 0.797256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (731 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC019N02KSGAUMA1

verfügbare Anzahl: 12560 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC019N02KSGAUMA1.pdf

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BSC019N02KSGAUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC019N02KSGAUMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC019N02KSGAUMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC019N02KSGAUMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	30A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC019N02KSGAUMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC019N02KSGAUMA1-FT

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