Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC077N12NS3GATMA1
Herstellerteilenummer | BSC077N12NS3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSC077N12NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC077N12NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13.4A (Ta), 98A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 60V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 139W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC077N12NS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC077N12NS3GATMA1-FT |
BSZ075N08NS5ATMA1
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BSZ086P03NS3EGATMA1
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M1A3P400-2PQ208
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